一种IGBT器件及其制作方法

本发明提供了一种IGBT器件及其制作方法，涉及半导体芯片制造技术领域；该器件包括沟槽，沟槽开设在IGBT器件内，沟槽内壁设置有器件栅极氧化层，器件栅极氧化层上设置有栅极，栅极包括由外到内依次设置的底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，底层多晶硅栅极设置在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧。在器件栅极氧化层远离沟槽内壁的一侧依次设置底层多晶硅栅极、金属栅极与顶层多晶硅栅极，三层栅极结构，可以大幅降低栅极电阻，从原来的10‑15R/口，降低至1R/口以下，接近金属方阻，栅极电压通过沟槽内的中间的金属栅极传导至每一个元胞，大幅提升了器件对栅极电压的响应，进而提升了器件的开关速度，提升了di/dt能力。