LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，体区形成于漂移区的上表面，栅极结构形成于体区内；源区连接源极金属层，漏区连接漏极金属层；栅极结构包括栅氧化层、多晶硅栅极及多晶硅电阻，多晶硅栅极及多晶硅电阻通过栅氧化层与体区连接；多晶硅电阻与源极金属层连接，体区与源极金属层连接；多晶硅栅极通过隔离氧化层与漏极金属层相接，多晶硅栅极、隔离氧化层及漏极金属层构成电容结构。本发明为等效于RC型ESD保护电路的高压ESD器件，无需在MOS器件外部增加电阻和电容，缩小了器件的面积，提高了器件的高压保护能力。