一种磁场矢量传感器与集成化工艺方法

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一种磁场矢量传感器与集成化工艺方法
申请号:CN202510078007
申请日期:2025-01-17
公开号:CN119902131A
公开日期:2025-04-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种磁场矢量传感器,包括SOI衬底以及设置在SOI衬底上的六个具有平面结构的磁敏器件,其中,第一磁敏器件与第二磁敏器件组成第一对差分结构用于检测x方向磁场,第三磁敏器件与第四磁敏器件组成第二对差分结构用于检测y方向磁场,第五磁敏器件与第六磁敏器件组成第三对差分结构用于检测z方向磁场。本发明公开的磁场矢量传感器,能够完成空间中被测点的磁场矢量检测,且具有较高的磁灵敏度一致性、较低的交叉干扰,该结构工艺简单,成本低,易于批量生产。
技术关键词
磁敏器件 磁场矢量传感器 集成化工艺方法 SOI晶圆 SOI衬底 光刻 掺杂区 刻蚀金属层 合金化工艺 金属互连 保护胶 直线 环形 引线 标记 芯片
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