压阻式MEMS压力芯片的制备方法与压阻式MEMS压力芯片晶圆

本发明提供了一种压阻式MEMS压力芯片的制备方法，包括：提供一SOI晶圆，SOI晶圆的器件层形成有压敏电阻结构及电性连接结构，器件层表面形成有图案化的钝化层，露出至少部分电性连接结构；在钝化层的表面形成临时键合介质，将SOI晶圆的器件层的一面与一玻璃晶圆键合；减薄步骤S12键合后的SOI晶圆的衬底面，在减薄的衬底面形成有共晶键合介质；提供一键合晶圆，键合晶圆的一面形成有空洞；在形成有空洞的键合晶圆的一面形成共晶键合介质；将第二部分形成有空洞的键合晶圆的一面与第一部分中SOI晶圆的衬底面做共晶键合并去除玻璃晶圆，形成压敏电阻对应的空腔。本发明提供的技术方案解决了压阻式MEMS压力芯片的测量的量程有限的问题。