SOI衬底及其制造方法、SOI功率器件、芯片、电子元件

本发明提供了一种SOI衬底及其制造方法、SOI功率器件、芯片、电子元件，所述SOI功率器件包括依次堆叠的第一衬底、埋层及第二衬底；所述第二衬底中设有体区和漂移区，所述体区中设有源端，所述漂移区中设有漏端，栅极结构设于所述体区及所述漂移区表面上；所述漂移区下的埋层中设有若干凹槽，所述凹槽内设有第一介质与所述第二衬底相接触，所述第一介质的介电常数小于所述埋层的介电常数。本发明可提高SOI功率器件的性能。