具有不同数量的纳米带的全环栅器件的共集成

本文提供了用于在同一衬底上形成在沟道区域中具有不同总数的半导体主体(例如，纳米带)的非平面半导体器件(例如，全环栅或叉片器件)的技术。任何数量的半导体器件各自包括在第一方向上延伸的一个或多个半导体主体，以及在第二方向上在半导体主体中的每个半导体主体之上延伸的栅极结构。在每个器件的一个或多个半导体主体的端部形成源极或漏极区域。衬底的不同区域具有不同的相对厚度，使得在不同区域上形成的器件具有不同数量的半导体主体，而器件的栅极结构具有基本上共面的顶表面。以这种方式，衬底上的不同器件可以具有任何数量的半导体主体。每个这样的器件的最顶部半导体主体可以彼此共线或共面。