一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备

本公开提供一种半导体结构及其制作方法、半导体存储器及电子设备。本公开的半导体结构包括：半导体基底，包括彼此间隔开的有源区；在所述有源区之间的隔离区的下方填埋有沿第一方向延伸的金属体线；所述金属体线与晶体管的体区连接，用于将晶体管的体区连接到固定电位。本公开在高密度埋入式元件结构中，通过在元件底部集成埋入式金属体线，并在该金属体线的特定位置施加体偏置电压，实现偏置电压向密集单元的高效稳定分配，该设计可抑制周边元件偏置波动引发的相邻单元体电位失稳，从而防止器件微缩后性能退化，以提高良率。