功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备

一种功率半导体器件芯片、其制备方法、对应器件及电子设备，属于半导体设计和制造技术领域。所述功率半导体器件芯片，包括形成在基区上的门极接触环和呈环状排列的阴极梳条，每一个阴极梳条与对应的基区之间形成有波浪结；其中，与门极接触环距离最远的波浪结，相对于其它区域的波浪结，具有最大的宽度和/或结深。本发明通过调整不同阴极环中IGCT元胞的波浪结注入掩膜，优化了远离门极接触环的阴极环中IGCT元胞的波浪结形貌，使IGCT关断时的动态雪崩位置更加远离阴极区，不容易发生阴极重触发失效，增强了器件电流关断能力；本发明的方法工艺简单，仅需修改离子注入掩膜，不增加额外工艺步骤。