摘要
本发明公开了一种适用于高频高速接口芯片的静电浪涌一体化防护电路,涉及集成电路设计技术领域,通过由电阻R1、电阻R2、晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、晶体管M1、晶体管M2构成的多种触发与泄流电路,可形成低电容、高集成静电浪涌一体化泄流电路;可通过调节不同触发与泄流电路中的关键特征参数及芯片面积,降低寄生电容,以实现不同工作频率及数据带宽的接口芯片的触发开启与电流泄放功能,避免静电浪涌脉冲对被保护接口芯片性能的影响,能解决不同工艺、不同电源域、不同应用场景的多类型高频高速接口芯片因瞬间脉冲引发的电路损伤等问题。
技术关键词
晶体管
防护电路
电阻
P型多晶硅栅
N型多晶硅
衬底电极
集成电路设计技术
接口芯片
集成静电
泄流电路
浪涌脉冲
电流
保护芯片
阴极
阳极
应力
高压
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