失效芯片的筛选方法

本发明提供了一种失效芯片的筛选方法，包括：提供待测试的芯片，芯片包括衬底、位于衬底上的栅极结构以及离子注入区，每个栅极结构均包括：栅氧化层、浮栅、ONO层、控制栅和字线栅，同一行的多个字线栅连接形成字线，同一行的多个控制栅连接形成控制线，同一列的离子注入区连接形成位线，一个字线栅与一侧的一个控制栅、一个浮栅和一个离子注入区组成一个存储单元；对存储单元进行擦除操作；对位线和控制线施加第一电压和第二电压，第一电压和第二电压的压差大于8.2V且第一电压与浮栅电压的电压差小于栅氧化层的击穿电压，第一电压大于0，第二电压小于0；对存储单元进行写00操作和读00操作，如果读取的值非00，则芯片失效。