半导体器件

提供了一种半导体器件，其能够在源极区域与漏极区域之间切换背栅极接触区域的连接地。半导体器件(1、151、161、201)包括：半导体芯片(2)，具有第一主面(3)和与第一主面(3)相对的第二主面(4)；第一导电类型的第一漏极区域(21)，形成在第一主面(3)的表层部；第二导电类型的背栅极区域(16)，在第一主面(3)的表层部，与第一漏极区域(21)间隔开地形成；第一导电类型的源极区域(23)，在背栅极区域(16)的表层部，与背栅极区域(16)的周缘(61至64)向内侧间隔开地形成；第二导电类型的背栅极接触区域(24)，在背栅极区域(16)的表层部，与源极区域(23)电隔离地形成；和面对沟道区域(53)的栅极电极(20)，在背栅极区域(16)中，形成在背栅极区域(16)的周缘(61至64)与源极区域(23)之间。