存储器的制造方法

本公开实施例提供一种存储器的制造方法，包括：提供晶圆，晶圆上形成有待刻蚀层，晶圆包括多个芯片；在待刻蚀层上形成第一光刻胶膜；对第一光刻胶膜进行第一晶圆边缘曝光处理，第一晶圆边缘曝光处理具有第一曝光宽度；对第一光刻胶膜进行第一曝光处理以及第一显影处理，以形成具有第一图形的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第一图形化处理，并去除第一光刻胶层；在待刻蚀层上形成具有第二图形的第二光刻胶层，第二光刻胶层包括位于晶圆的边缘上的第一光阻保留部；以第二光刻胶层为掩膜，对待刻蚀层进行第二图形化处理，并去除第二光刻胶层以及第一光阻保留部。本公开实施例有利于提高存储器的制造良率。