LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片

本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET结构的ESD器件及制造方法、芯片。该器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区及栅极结构，栅极结构形成于体区及漂移区的上方，栅极结构包括从下至上依次层叠的多晶硅栅极、绝缘介质层及多晶硅电阻；源区连接源极金属层，漏区连接漏极金属层；多晶硅电阻通过第一接触端与源极金属层连接，体区通过第二接触端与源极金属层连接；多晶硅栅极的侧面设有氮化硅侧墙，氮化硅侧墙与漏极金属层相接，多晶硅栅极、氮化硅侧墙及漏极金属层构成电容结构。本发明的多晶硅电阻与电容结构并联连接，形成为等效于RC型ESD保护电路的高压ESD器件，缩小器件的面积，提高器件的高压保护能力。