GGNMOS器件及制造方法、芯片

本发明提供一种GGNMOS器件及制造方法、芯片，属于半导体集成电路技术领域。所述GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的体区和衬底接口、以及形成于体区表面的源区、漏区和栅极，衬底接口、源区以及栅极均接地，还包括：形成于衬底接口与源区之间的深沟隔离区；深沟隔离区向衬底的底部延伸，以增加漏区在雪崩击穿时电流从源区到衬底接口的导通路径长度，使得体区与源区之间的PN结更易达到PN结正向开启电压。本发明可以通过调整深沟隔离区的深度来控制开启电压的大小，在不影响其他使用到体区的器件的性能，且GGNMOS器件的维持电压不变的情况下，调整GGNMOS器件的开启电压。