亚阈值SRAM PUF单元、芯片顶层架构及不可靠位检测方法

本发明提出一种亚阈值SRAM PUF单元、芯片顶层架构及不可靠位检测方法，亚阈值SRAM PUF单元包括，包括晶体管一、晶体管二、晶体管三、晶体管四和非门，晶体管一和晶体管二采用交叉耦合结构形成正反馈回路，晶体管三和晶体管四组成一组泄露晶体管，正反馈回路上设置有互补输出的信号点一和信号点二，晶体管三和晶体管四分别连接信号点一和信号点二，并通过非门来控制晶体管三和晶体管四的通断。本发明提出的亚阈值SRAM PUF单元可以将传统SRAM PUF的双稳态结构转化为单稳态结构，并利用交叉耦合PMOS对降低噪声提高原生可靠性。