碳化硅基功率MOSFET的单粒子烧毁电路模型构建方法和装置

本发明公开了一种碳化硅基功率MOSFET的单粒子烧毁电路模型构建方法和装置，包括：步骤1、采用先进的低电压模型BSIM3v3表征SiC功率MOSFET内核；步骤2、将非线性栅‑漏电容Cgd的电流作为非线性栅‑漏电容Cgd微分环节和随电压非线性变化的函数f(V)的乘积；用非线性结电容CJ定义体二极管Dbody的动态特性，体二极管Dbody的动态特性模型中的非线性结电容CJ可以被模拟为非线性漏‑源电容Cds等效模型；步骤3、基于Gummel‑Poon模型表征SiC功率MOSFET寄生双极结型晶体管模型，利用Silvaco UTMOST工具参数提取方法；步骤4、在寄生双极结型晶体管上增加了一个控制电流源G1，用于模拟SiC功率MOSFET被重离子入射所产生的瞬时电流，采用本发明的技术方案，可对SiC功率MOSFET中非线性元器件的等效电路精确描述。