通过模拟忆阻器交叉开关中的量子衍生并行退火进行的有效组合优化

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通过模拟忆阻器交叉开关中的量子衍生并行退火进行的有效组合优化
申请号:CN202410754889
申请日期:2024-06-12
公开号:CN119152908A
公开日期:2024-12-17
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种量子衍生并行退火方法,其实现了完全并行度且提高了解质量,从而当在模拟忆阻器交叉开关中实施时产生显著的速度和能量改进。以实验方式解决了任务,包含使用集成忆阻器芯片的未加权和加权最大切割和旅行商问题。在此要求保护的方法有效地利用由忆阻器技术提供的自然并行度、模拟电导状态和多对多连接,并且因此与在其它技术上实施的先前模拟退火和伊辛机器相比,展现了显著的时效和能效改进,具有用于以更大效率求解复杂优化问题的巨大潜力。
技术关键词
模拟忆阻器 伊辛模型 忆阻器芯片 跨阻抗放大器 阵列 存储器元件 退火方法 模数转换器 晶体管 复用器 驱动器 能效 变量 逻辑 端子 编码 矩阵 速度
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