扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法

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扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法
申请号:CN202410758240
申请日期:2024-06-12
公开号:CN118746710B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种扩展电阻测试结构及其制作方法、扩展电阻测试方法,包括以下步骤:提供一设有至少一芯片单元及环绕芯片单元的划片区的待测样片,芯片单元包括元胞区及环绕元胞区且包括多个终端环结构的终端区,划片区内形成有多个与终端环结构一一对应的标记结构且其所在区域与元胞区在X方向上相对应;于芯片单元上形成多个在X方向间隔设置且在Y方向上具有预设尺寸的测试区,不同测试区分别与不同终端环结构一一对应,测试区在Y方向上的一端位于元胞区内,另一端显露出相应的终端环结构,且形成测试区的过程中分别以与测试区显露的终端环结构所对应的标记结构作为停止标识。本发明实现了对扩展电阻测试位置的精确定位,提升了测试准确度。
技术关键词
测试结构 终端 标记 芯片 制作方法制作 元胞 测试方法 测试探针 尺寸 数值 标识 代表 端点 激光 直线 机械
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