MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质

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MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质
申请号:CN202410763822
申请日期:2024-06-14
公开号:CN118350344B
公开日期:2024-09-03
类型:发明专利
摘要
本发明提供一种MOSFET器件模型建立方法、系统、设备及存储介质,涉及半导体器件仿真技术领域。该器件模型建立方法,包括:建立全局模型;在全局模型中按照器件尺寸阵列生成点模型;以大尺寸点模型为参考,采用逐步赋值法依次调节器件尺寸阵列中其他点模型的器件参数;其中,大尺寸点模型与大尺寸器件相对应,大尺寸器件为栅极长度最长且栅极宽度最宽的MOSFET器件;基于全局模型中的点模型,生成分块模型。本发明MOSFET器件模型建立方法,在全局模型基础上继续提取分块模型的过程中,采用逐步赋值法提取点模型的器件参数,使得所建立的分块模型具有良好的连续性和准确性,同时能有效减少建模过程中点模型提取时间。
技术关键词
MOSFET器件 模型建立方法 栅极 大尺寸器件 沟道器件 分块 参数调节模块 小尺寸器件 阵列 模型建立系统 计算机设备 坐标系 存储计算机程序 存储器 处理器 曲线 半导体器件
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