基于SiC MOSFET动态特性参数的键合线老化状态在线评估方法及检测电路

本发明涉及一种基于开通延时时间的SiC MOSFET键合线老化状态评估方法，通过测量SiC MOSFET在工作过程中的开通延时时间tdon，实现对键合线老化状态的实时监测与量化评估。本发明设计了开通延时时间检测电路，能够精确测量SiC MOSFET的开通延时时间，并通过分析该参数的变化，准确反映键合线的老化程度。该方法具有准确性高、实时监测、适应性强等优点，适用于不同工况参数的SiC MOSFET器件。通过本发明，操作人员可以及时发现潜在的故障隐患，降低系统的维护成本，提高系统的可靠性和稳定性。本发明的提出为SiC MOSFET的健康监测与评估提供了新的思路和方法，有助于推动电力电子器件健康监测技术的创新与发展。