IR芯片以及光电耦合器

本发明公开了IR芯片以及光电耦合器，其中IR芯片，包括：Si衬底；设置于所述Si衬底上的掺杂层；与所述Si衬底层相接，背离所述掺杂层，且与所述掺杂层存在电极通道的P电极；背离所述Si衬底，与所述掺杂层存在电极通道的的N电极；以及SiO2钝化层；其中，所述掺杂层包括依次排布于所述Si衬底上的P型掺杂层、PN结、N型掺杂层；所述SiO2钝化层包覆于所述PN结的外壁。本发明技术方案提高了IR芯片的强度，避免了芯片在实际生产和封装过程中损坏，提高了IR芯片的可靠性。