一种LED芯片的制备方法及LED芯片

本发明涉及一种LED芯片的制备方法及LED芯片；其中，所述制备方法包括：提供一外延片，所述外延片包括依次堆叠的P型半导体层、发光层以及N型半导体层；在所述N型半导体层上蒸镀一层ITO薄膜，所述ITO薄膜的厚度为100nm~300nm；对具有所述ITO薄膜的外延片进行MESA刻蚀；在部分所述P型半导体层和所述ITO薄膜上蒸镀电极；在具有所述电极的外延片上制备第一层增透保护层，所述第一层增透保护层的厚度为30nm~100nm；在具有所述第一层增透保护层的外延片上制备第二层增透保护层，所述第二层增透保护层的厚度为20nm~70nm。本申请的LED芯片的制备方法可以有效改善LED芯片的出光亮度。