一种高选择性、均匀芯片蚀刻液及其制备方法与应用

本发明涉及一种高选择性、均匀芯片蚀刻液及其制备方法与应用。所述的高选择性、均匀芯片蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：氢氟酸1‑5份；氟碳酰胺类化合物0.001‑0.005份；复合添加剂2‑5份；超纯水45‑65份。本发明采用氟碳酰胺类化合物具有极低的表面张力以及润湿性能，还可以根据蚀刻液的性质来调节亲水性疏水性，且亲疏水性更容易调节。本发明采用苯基膦类化合物和含氟的二硫化合物组合，可以生成一层膜覆盖在氮化硅表面，保护氮化硅不被蚀刻，也会有少部分堆积在氧化硅表面，再加上氟碳酰胺类化合物的极润湿作用，可以提高氧化硅和氮化硅的蚀刻选择比，从而实现均匀性蚀刻。