一种约瑟夫森结的制备方法及量子芯片

本发明公开了一种约瑟夫森结的制备方法及量子芯片，应用于量子技术领域，包括：将制备有底层线路的晶圆第一次放入缓冲氧化物刻蚀液，去除底层线路表面的氧化层；在晶圆表面设置光刻胶，并对光刻胶曝光显影进行图案化；将显影后的晶圆第二次放入缓冲氧化物刻蚀液，去除底层线路表面再次生成的氧化层；基于晶圆表面设置的图案化光刻胶，设置与底层电路连接的约瑟夫森结。在光刻工艺之前先使用缓冲氧化物刻蚀液第一次对晶圆表面的氧化层进行去除，在光刻工艺的显影后使用缓冲氧化物刻蚀液第二次对晶圆表面氧化层进行去除，以保证在生长约瑟夫森结时底层线路表面不具有氧化层。而使用缓冲氧化物刻蚀液去除氧化层可以避免加剧二能级系统损耗。