一种低压低容SCR结构保护器件及其制作方法

本发明公开一种低压低容SCR结构保护器件及其制作方法，器件包括N‑单晶片、形成在所述N‑单晶片表面的P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第一P+区、第二P+区、第三P+区、第四P+区、设置于所述N‑单晶片上方的介质层以及设置于所述介质层上方的第一金属层和第二金属层，所述第三N+区位于所述第四P+区下方，所述第一N+区一侧形成第一槽，所述第一N+区和所述第一P+区之间形成第二槽，所述第一P+区和所述第四P+区之间形成第三槽，所述第四P+区和所述P‑区之间形成第四槽，所述P‑区一侧形成第五槽。本发明提供了一种低压低容SCR结构保护器件，可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构和工艺设计，获得更低的击穿电压、更低的电容以及更高的ESD抗干扰能力。