基于相邻有源区间距效应的栅极电流模型构建方法及存储介质

本发明公开了一种基于相邻有源区间距效应的栅极电流模型构建方法，包括：设计多个与标准器件相邻有源区间距尺寸不同的器件结构；根据设计的版图制造器件，测量各器件在不同相邻有源区间距下的栅极电流数据；建立标准相邻有源区间距尺寸器件的栅极电流模型；调整与器件宽度、长度和电压偏置相关的参数进行曲线拟合；若拟合不成功，则重新调整与器件宽度、长度和电压偏置相关的参数再次拟合直至拟合成功，得到标准相邻有源区间距的栅极电流模型；在此基础上引入与相邻有源区尺寸相关的栅极电流模型参数；调整与不同相邻有源区间距相关的函数系数进行曲线拟合；若拟合不成功，则重新调整与不同相邻有源区间距相关的函数系数再次拟合直至拟合成功，得到与不同相邻有源区间距尺寸相关的栅极电流模型。