一种掩埋、对接结构的半导体激光器芯片及其制备方法

本发明涉及光通信领域，尤其涉及一种掩埋、对接结构的半导体激光器芯片及其制备方法，其制备的半导体激光器芯片采用了选择性外延及异质结掩埋工艺，通过选择性生长了含铝(Al)元素的有源区，同时采用异质结掩埋工艺实现短腔长和窄面积的有源区的结构设计，实现更低阈值电流、更低寄生电容及结电容和更优的可靠性性能，并具有更高的调制频率及响应带宽宽度；此外，本发明采用了先生长无源波导层，再选择性生长含Al元素的有源层的工艺，形成了有源区无源波导对接结构和异质结掩埋结构，实现了含Al有源区围合结构设计，避免芯片在制备中，使用的Al元素有源层暴露在大气中，解决了含Al材料的有源层易被氧化的问题，有效提高了器件的可靠性。