一种LED芯片及其制备方法

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在第一图形化外延层上依次形成原初硬质膜层、具有切割走道图案的第一图形化光刻胶层；以第一图形化光刻胶层为掩膜，刻蚀原初硬质膜层；以第一图形化硬质膜层为掩膜，刻蚀第一图形化外延层；以第二图形化硬质膜层为掩膜，粗化第二图形化外延层的切割走道图案；光刻图形化处理第二图形化硬质膜层；以第三图形化硬质膜层作为掩膜，在第二图形化外延层上依次沉积形成ITO膜层和银反射结构，并保留第三图形化硬质膜层作为扩散阻挡层。本发明通过对硬质膜层进行多次利用，能够有效简化LED芯片的制备工艺步骤，从而有利于降低制程的复杂性。