半导体激光器芯片及解理方法

本申请提供了一种半导体激光器芯片及解理方法，该半导体激光器芯片包括衬底和位于衬底之上的外延层，外延层自其顶部形成沿第一方向延伸的脊波导结构，第一方向垂直于芯片的解理方向；第一金属层位于衬底的背面且与第一半导体层电性连接，第一金属层具有沿解理方向延伸的凹槽，凹槽的深度小于或等于5μm；第二金属层位于脊波导结构远离外延层的一侧且与第二半导体层电性连接。本申请提供的解理方法通过在第一金属层表面划线形成凹槽引导解理过程的作用力沿自然解理方向传递，完成半导体激光器芯片的分离，有效避免了传统裂片方式导致的斜裂，该解理方法制备得到的半导体激光器芯片外观良好，解理腔面质量较高，产品可靠性得以提升。