LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构

本发明提供了一种LED芯片结构的制备方法及LED芯片结构，包括：提供LED外延片；在LED外延层进行像素隔离；形成电极引出结构，顶面高于第一半导体层；底面接触像素单元的电极引出位置；在电极引出结构上键合第一临时基板；将衬底剥离；基于LED芯片单元区域，对LED外延层和第一临时基板进行切割，切割为多个分离的LED芯片单元；提供第二临时基板，材质与驱动基板的材质相同；LED芯片单元键合到第二临时基板上；去除第一临时基板。本发明的技术方案，实现了Die to wafer，然后wafer to wafer键合，两基板材质相同，避免了键合过程中由于热膨胀差异造成的偏移；且减少了Die的浪费，提高了性能。