一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法

本发明涉及一种高亮度倒装LED芯片及其制备方法。该芯片包括透明衬底层、N型层、多量子阱层、P型层、透明导电层、全角度反射结构、DBR和电极。其中，全角度反射结构位于透明导电层上方，呈弧形或圆顶形貌，其与DBR相结合，实现全角度光反射，显著提高光提取效率。此外，在P型层上方设置电流阻挡层，有效引导电流集中流经发光区域，减少电流扩散，提升电流注入效率。本发明采用PECVD沉积、光刻工艺、干法蚀刻等工艺，形成高效的全角度反射结构，显著提高了光提取效率与发光均匀性，具有广泛的应用前景。