一种具有微流道的半导体结构及其制造方法

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正文
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一种具有微流道的半导体结构及其制造方法
申请号:CN202411911450
申请日期:2024-12-24
公开号:CN119812144A
公开日期:2025-04-11
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种具有微流道的半导体结构及其制造方法。该结构包括:半导体基板,在其中布置第一开槽和第二开槽;阻挡层,其位于所述半导体基板的第一表面并填充所述第一开槽,所述阻挡层至少部分覆盖所述第二开槽的顶面并留有顶部开口;密封层,至少部分覆盖所述顶部开口;芯片模块,布置在所述密封层之上;微流道入口和微流道出口,分别位于所述顶部开口的两端,所述微流道入口和微流道出口与所述微流道本体连通构成微流道。本发明提供的具有微流道的半导体结构,在微流道本体的侧边提前构建氧化硅隔离带,实现微流道本体的边界及结构可控;将芯片模块贴在槽口的密封层上,可以实现芯片模块特定位置的精准高效散热。
技术关键词
半导体基板 半导体结构 微流道 芯片模块 制作阻挡层 表面涂布 刻蚀液 光刻胶 结构可控 入口 氧化工艺 电镀工艺 种子层 隔离带 二氧化硅 气相
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