半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备

AITNT
正文
推荐专利
半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备
申请号:CN202410787688
申请日期:2024-06-18
公开号:CN118747022A
公开日期:2024-10-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种半导体激光器温度控制方法、存储介质和电子设备,涉及半导体技术领域,半导体激光器温度控制方法包括:对半导体激光器进行第一温度控制测试,得到第一芯片温度;对半导体激光器进行第二温度控制测试,得到第二芯片温度;基于第一传递函数和第二传递函数获得半导体激光器的系统传递函数;基于系统传递函数获得控温组件功率与芯片温度的目标对应关系;设置PID参数,并基于PID控制模型确定所设置的PID参数对应的目标控温组件功率;基于目标对应关系获得目标控温组件功率对应的目标芯片温度;基于PID参数控制半导体激光器的温度。应用本发明实施例提供的方案能够对半导体激光器进行温度控制。
技术关键词
控温组件 系统传递函数 半导体激光器 芯片 功率 电子设备 关系 参数 拉普拉斯 变量 处理器 可读存储介质 存储器 计算机
系统为您推荐了相关专利信息
1
新能源电力系统的控制方法和控制装置、电子设备
新能源电力系统 二次规划模型 电解槽 非瞬时性计算机可读存储介质 状态空间模型
2
显示装置的驱动方法和驱动装置
PWM脉冲宽度 PWM脉冲信号 脉冲宽度调制 驱动方法 子帧
3
多灯珠合成型按谱发光灯具和按谱发光方法
发光灯具 发光方法 发光芯片 波长 透明硅胶
4
一种面向可重构AI芯片的神经网络推理部署方法和系统
面向可重构 神经网络推理 网络拓扑结构 深度学习框架 输出特征
5
一种激光器芯片偏角检测装置及其使用方法
激光器芯片 偏角检测装置 测试底座 扫描模块 测试平台
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号