中介层及其测试方法、半导体结构

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中介层及其测试方法、半导体结构
申请号:CN202410789856
申请日期:2024-06-18
公开号:CN118763071B
公开日期:2025-03-04
类型:发明专利
摘要
本申请提供一种中介层及其测试方法、半导体结构。中介层包括测试区及功能区。中介层包括位于测试区及功能区的绝缘层和导电结构。绝缘层包括多个绝缘膜层;绝缘层的各开孔包括一个子开孔或两个以上子开孔;测试区及功能区分别设有开孔。导电结构包括多个导电部及多个再布线层;每一子开孔内设有一个导电部;任相邻两个绝缘膜层之间均设有再布线层;再布线层包括多个导线及多个导电块;至少一个开孔内的相邻两个导电部之间设有导电块,各导线分别与至少两个对应的开孔内的导电部接触;测试区及功能区分别设有至少一个导线及多个导电块;导电结构位于测试区的部分与位于功能区的部分绝缘;导电结构位于测试区的部分用于测试其是否存在短路及断路。
技术关键词
导电结构 导线 中介层 导电块 测试方法 短路测试结构 参数 半导体结构 电阻 布线 绝缘 信号 电感 层叠 芯片 脉冲 频率
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