一种用于降低3D NAND晶圆翘曲的方法

本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种用于降低3D NAND晶圆翘曲的方法，本发明首先使用有限元仿真软件建立3D NAND晶圆等效模型以获取晶圆热分布和晶圆翘曲分布概况，并使用晶圆翘曲测量装置量测了晶圆翘曲分布以验证有限元等效模型的准确性。随后基于有限元等效模型计算所得的晶圆翘曲分布情况，对共源线进行工艺改善，在晶圆背部进行针对性图形化蚀刻。本发明能够在3D NAND器件制作完成之前获取晶圆的翘曲分布，促使在制作过程中能够通过共源线改善工艺。共源线和晶圆背部都处于3D NAND核心器件区之外，这使得晶圆翘曲优化工艺对3D NAND核心存储功能的损伤降至最小。