一种用于偏振转换器的铌酸锂薄膜平台设计方法

本发明公开的用于偏振转换器的铌酸锂薄膜平台设计方法，包括：S1、将铌酸锂薄膜层的设计区域均分成M x N个网格单元，每个网格单元存在两种可能的编码状态，不同编码状态的折射率不同；S2、改变设计区域中网格单元的编码状态，形成当前的设计区域状态Zi，获取设计区域状态Zi下的品质因数FOMi；S3、若品质因数FOMi大于当前最优的品质因数FOMm，将当前最优品质因数FOMm更新为品质因数FOMi，并保存对应的设计区域状态Zi，进行下一轮迭代；S4、直至品质因数满足预期的设计目标或者达到设定的迭代次数，选取最优品质因数对应的设计区域状态。在不使用铌酸锂刻蚀工艺的条件下，可获取铌酸锂薄膜表面生成两种不同的折射率状态，工艺可行性强，有利于推动铌酸锂基光子集成芯片的发展。