一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构

本发明涉及一种具有低电阻纵向布线的MEMS谐振芯片结构，属于MEMS技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底层、具有谐振结构的结构层和盖帽层，衬底层和结构层之间通过衬底氧化层形成绝缘键合；盖帽层与结构层通过盖帽键合介质层键合连接；衬底层的内侧设有面向谐振结构的衬底空腔；盖帽层表面设有钝化层，盖帽层的内侧设有面向谐振结构的盖帽浅腔，盖帽层中设有用于信号传导的纵向布线，纵向布线周面设有用于和周侧体硅隔离的纵向绝缘环，纵向布线的外端与外露于钝化层表面的焊盘电性连接、内端通过金硅共晶反应所形成的共晶金属连接在谐振结构上。本发明可有效减小MEMS谐振芯片信号传输的寄生电阻和RC延迟，提高器件性能和稳定性。