一种射频芯片热特性分析方法

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一种射频芯片热特性分析方法
申请号:CN202410887899
申请日期:2024-07-03
公开号:CN118862820A
公开日期:2024-10-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种射频芯片热特性分析方法,包括版图转换建模、边界条件设置、温度可靠性分析、热应力可靠性分析、热形变可靠分析、热特性评估和设计指导。本发明的核心结合ANSYS和HFSS采用版图转换建模方法构建射频芯片的三维模型。针对其封装密度高、厚度薄、热源多导致的热失效问题,这里基于热特性理论和有限元分析方法对其三维模型进行了热特性分析,探究了芯片在不同功率和环境温度下的温度、热形变、热应力变化规律。本发明能够有效地对射频芯片的温度、热应力和热形变分布进行预测分析,为芯片封装优化和可靠性设计提供了理论指导,对于优化布局、改善射频电路热特性具有重要意义。
技术关键词
射频芯片 特性分析方法 三维模型 版图 热对流 有限元分析方法 芯片封装 实体 热分析 分析模块 模型底部 热传导 芯片结构 功率 射频电路 物体 建模方法 语句 应力
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