一种用于半导体基底的基板形成方法

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一种用于半导体基底的基板形成方法
申请号:CN202410815596
申请日期:2024-06-24
公开号:CN118385777B
公开日期:2024-09-24
类型:发明专利
摘要
本申请涉及玻璃基板切割控制技术领域,具体涉及一种用于半导体基底的基板形成方法,该方法包括:获取各采集时刻的石英玻璃基板切割样品的石英玻璃基板切割边缘图像以及切割激光移动热源的激光切割参数序列;根据石英玻璃基板切割边缘图像中的灰度分布情况,获得各玻璃基板裂纹区域;根据各玻璃基板裂纹区域与其相邻的玻璃基板裂纹区域之间的空间分布差异,获取边缘崩裂损伤程度;根据所有采样时刻的石英玻璃基板切割样品的边缘崩裂损伤程度对激光切割参数序列进行调控,获得下一个采样时刻的激光切割参数,提高了石英玻璃基板的切割质量。
技术关键词
石英玻璃基板 激光切割参数 半导体基底 裂纹识别 像素点 分水岭算法 切割控制技术 主成分分析算法 序列 特征值 标记 神经网络模型 热源 间距 指数 图像分割
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