一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法

本发明涉及一种半导体器件中电容的制备方法及半导体器件的制备方法。一种半导体器件中电容的制备方法，其包括：提供形成有有源阵列的半导体结构，在半导体结构上形成第一金属互联层，第一金属互联层与有源阵列互连；在第一金属互联层上形成介质层；在介质层上选定电容所在区域，并对电容所在区域的介质层进行刻蚀，形成凹陷区；用牺牲材料填平凹陷区；在凹陷区刻蚀电容孔，在介质层的凹陷区之外的区域刻蚀接触孔，电容孔和接触孔贯穿至第一金属互联层；去除牺牲材料；依次形成第二金属层、绝缘层和第三金属层，使第二金属层充满接触孔，并使第二金属层、绝缘层和第三金属层依次填充在电容孔内；切断电容孔和接触孔之间的金属连接。