一种表征TOPCon太阳能电池结构中多晶硅层厚度的方法

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一种表征TOPCon太阳能电池结构中多晶硅层厚度的方法
申请号:CN202410820362
申请日期:2024-06-24
公开号:CN118919440A
公开日期:2024-11-08
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种表征TOPCon太阳能电池结构中多晶硅层厚度的方法,包括:构建多晶硅层反射率曲线数据库;其中,所述数据库中包括多种具有不同多晶硅层厚度的TOPCon制程片所对应的反射率曲线;获取待测样品的反射率曲线;其中,所述待测样品为待测量多晶硅层厚度的TOPCon制程片;基于所述数据库,根据待测样品的反射率曲线确定待测样品的多晶硅层厚度。本发明可监控多晶硅膜层厚度,从而及时发现工艺异常情况,提升TOPCon良品率。
技术关键词
TOPCon太阳能电池 反射率曲线 层厚度 反射率数据 建立多元回归模型 监控多晶硅 制程 多晶硅制作 波长 参数
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