一种Micro LED制备方法

本申请公开了一种Micro LED制备方法，包括如下步骤：S1，通过金属键合工艺，将Micro LED外延层键合至驱动基板上；S2，通过光刻工艺形成Mesa掩膜，采用刻蚀工艺在键合后的外延层上形成Mesa结构；S3，通过两次或多次涂胶工艺，在Mesa结构表面形成双层或多层光刻胶结构；使得曝光及显影后形成下层“底切”结构；S4，以所述“底切”结构掩膜为模板，对键合金属层进行刻蚀；S5，通过显影液或去胶液去除光刻胶，同时将侧壁不连续的金属层同步剥离，得到独立像素结构的Micro LED；本申请通过创新的工艺步骤，尤其是“底切”结构掩膜的设计和应用，成功解决了现有Micro LED制备技术中“金属围栏”异常这一难题，显著提高了Micro LED的良品率。