多指GGNMOS器件及制造方法、芯片

本发明提供一种多指GGNMOS器件及制造方法、芯片，属于半导体集成电路技术领域。多指GGNMOS器件包括：衬底、形成于衬底的热扩散阱区、形成于热扩散阱区表面的多个源区、多个漏区和多个栅极，以及形成于热扩散阱区两端的衬底接口，多个源区、多个栅极以及衬底接口均接地，多个源区、多个漏区以及多个栅极构成多个GGNMOS结构，对应同一个热扩散阱区，热扩散阱区的离子浓度呈梯度分布，靠近衬底两端的热扩散阱区的离子浓度大于靠近衬底中部的热扩散阱区的离子浓度。本发明的热扩散阱区离子浓度呈梯度分布，可以平衡中间与外围GGNMOS的开启电压，改善多指器件开启不均匀的问题，避免中间GGNMOS承受过大电流而烧毁。