一种改善发光二极管吸附污染的处理方法

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一种改善发光二极管吸附污染的处理方法
申请号:CN202510203228
申请日期:2025-02-24
公开号:CN120076498A
公开日期:2025-05-30
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种改善发光二极管吸附污染的处理方法,属于发光二极管技术领域,通过真空高温烘烤及等离子清洗步骤,充分有效的去除芯片制作过程中芯片表面残留的羟基自由基或其他污染物,从而避免芯片在固晶烘烤步骤产生胶气吸附化学反应,避免芯片污染、难焊线、A脱现象。该方案工艺简单,且工艺过程不使用化学溶液,不会对芯片造成二次污染或芯片腐蚀损坏,具有较高的可行性和通用性。
技术关键词
高温烘烤设备 发光二极管电极 等离子清洗设备 发光二极管技术 发光二极管芯片 清洗腔室 发光层 自由基 真空度 功率 溶液
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