摘要
本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种多层晶圆互连的封装结构及方法。包括若干堆叠的晶圆,每片晶圆上焊盘的分布相同,相邻晶圆的焊盘呈错位布置,晶圆内设有通孔,通孔一端与最外侧晶圆表面齐平,通孔另一端落在最内侧晶圆的焊盘上,通孔内设有绝缘层,绝缘层内设有导电柱,相邻晶圆的焊盘通过导电柱电连接。同现有技术相比,错位键合使焊盘台阶化露出,在去除焊盘表面的绝缘层之后再统一填孔,即可实现晶圆之间的电气互连。实现了具有有效电气互连的统一通孔技术。从而避免了多层晶圆分别钻孔、沉积和填孔的繁复步骤,简化了整体制造工艺,显著提高生产效率。
技术关键词
晶圆
封装方法
封装结构
导电柱
错位
盘面
电气互连
芯片封装技术
电连接结构
通孔技术
焊盘表面
刻蚀气体
刻蚀工艺
掩膜
阶梯型
金属铝
钻孔
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芯片封装方法
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