键合方法及键合结构

本公开实施例涉及半导体领域，提供了一种键合方法，包括：提供晶圆，其中，晶圆包括多个第一芯片和多个第二芯片；在晶圆上形成多个接触插塞，接触插塞与晶圆的第一芯片和第二芯片电连接；在晶圆的第一芯片上形成伪钝化层，在除第一芯片外的区域形成钝化层，伪钝化层和钝化层共同覆盖多个接触插塞；图案化钝化层，以暴露部分接触插塞的表面，并在图案化后的钝化层内形成键合焊盘，键合焊盘覆盖部分接触插塞的表面，并通过接触插塞与第二芯片电连接；将至少两个晶圆进行混合键合，以形成键合结构。