光电探测成像阵列、成像芯片以及成像设备

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光电探测成像阵列、成像芯片以及成像设备
申请号:CN202410825548
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118398639B
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本公开提供了光电探测成像阵列、成像芯片以及成像设备。该光电探测成像阵列包括:阵列基板、第一电极以及光电探测功能层。其中,所述阵列基板中设置有多个控制晶体管;所述第一电极有多个,所述第一电极设置于所述阵列基板上,且各所述第一电极耦合于对应的所述控制晶体管的第一个源/漏极;以及,所述光电探测功能层的材料包括氧化镓,所述光电探测功能层设置于所述阵列基板上,且所述光电探测功能层通过所述第一电极耦合于所述控制晶体管。该光电探测成像阵列能够实现对单个光电探测单元的信息的准确读取,进而提高基于氧化镓的光电探测成像阵列的成像精度和准确度。
技术关键词
光电探测功能 重置晶体管 阵列基板 氧化镓薄膜 电极 扫描控制电路 探测成像设备 信号处理电路 光电探测单元 信号线 栅极 显示装置 芯片 氧空位
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