芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备

本申请提供一种芯片封装方法、芯片封装结构及电子设备，涉及半导体技术领域。在上述芯片封装方法中，在介质层远离第一载板的一侧制作第一硬质掩膜层后，再制作位于第一通孔及第二通孔内的电极走线，得到由电极走线、介质层及第一硬质掩膜层组成的重布线层。其中，第一硬质掩膜层的高宽比为3～5，采用第一硬质掩膜层替换光刻胶层进行电镀，在电镀较深的电极走线时，其结构强度可以有效减少在电镀过程中由于光刻胶层高宽比过大而导致的坍塌风险，提高电极走线图形的精细度。