半导体结构及其形成方法

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述形成方法中，在获取待形成金属通道的半导体基板后，对应于各有效芯片区及至少部分无效芯片区的层间介质层形成暴露第一金属布线层的第一通孔和第二通孔，之后形成第二金属布线层，并分别对应于第一通孔和第二通孔形成使第一金属布线层和第二金属布线层连接的有效金属通道和虚置金属通道，在进行表面金属厚度检测时，有效芯片区和无效芯片区的金属厚度表征信号较均衡，可以避免由于无效芯片区的金属厚度表征信号太弱而导致检测出错，并且，虚置金属通道距离基板边界不小于第一设定间距，可以降低后续介质层刻蚀时基板边缘区域发生电弧放电的风险。