一种全彩QD-Micro LED器件结构及其制备方法

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一种全彩QD-Micro LED器件结构及其制备方法
申请号:CN202410832863
申请日期:2024-06-25
公开号:CN118782598A
公开日期:2024-10-15
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种全彩QD‑Micro LED器件结构及其制备方法,属于显示器件技术领域,包括通过挡墙互相键合的模块1和模块2;所述模块1包括玻璃基板,所述玻璃基板上固定设置有挡墙1和若干像素单元空腔体;所述像素单元空腔由挡墙围成;部分所述像素单元空腔中填充有量子点转光层;所述量子点转光层包括红色量子点转光层和红色量子点转光层;所述模块2包括底衬电路;所述底衬电路上矩阵设置有与所述像素单元空腔对应的若干蓝光发光芯片;所述蓝光发光芯片之间的空隙设置有与所述挡墙1对应的挡墙2。制备过程不使用阻隔胶和粘合剂,双面低挡墙方案使技术难度大大降低,模块化设计大大提升生产效率。
技术关键词
MicroLED器件 挡墙 像素单元 发光芯片 量子点墨水 绿色量子点 红色 底衬 玻璃基板 空腔 原子层沉积 步进式光刻机 显示器件技术 模块 上制作金属 上沉积 电路 掩模板
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